非故意正向偏置二极管检测器
SNUG Boston 2008
2008
24 页
非故意正向偏置二极管检测器
作者: Arnold Baizley, Joe Iadanza, IBM Corporation
摘要
本文描述了一种检测非故意正向偏置二极管的方法，这些二极管可能由不当放置的栅极/天线接地、上电顺序问题、不当偏置的阱等原因引起。识别这些类型的故障是任何DRC 设计规则检查、LVS 版图与原理图一致性检查或ERC 电气规则检查方法学的重要组成部分，以保证设计质量。
非故意正向偏置二极管（FBDs）自硅电路设计之初就一直存在。随着隔离P阱的引入以及为低功耗应用关断芯片各部分的需求，FBDs出现的可能性增加了。
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