ARM 存储器编译器功耗测量流程：使用 Synopsys HSIM 和 HSIMplus

ARM 存储器编译器功耗测量流程：使用 Synopsys HSIM 和 HSIMplus

会议: SNUG San Jose 2008 作者: Satinderjit Singh, ARM, Sunnyvale CA, USA 页数: 15

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摘要

由于支持 65nm 以下工艺节点所需的特性（如电源门控 Power Gating、冗余、BIST 内建自测试），存储器编译器变得越来越复杂。这些特性使得功耗测量面临巨大挑战。在不同模式和特性下测量 ACTIVE 和 STANDBY 功耗对于 65nm 及以下工艺的成功至关重要。Synopsys HSIM FastSPICE（快速 SPICE 仿真工具）适用于全定制存储器编译器的功耗测量。它使我们能够从以往需要大量手动工时的基于横截面（cross-section）的方法，转向基于实例（Instance Based）的流程。HSIM 能够相对轻松地处理 1Mb SRAM 静态随机存取存储器，同时保持与 HSPICE 只有几个百分点的精度差异。

基于 HSIM 的功耗测量流程在 ARM 被开发并实施。该功耗测量流程使 IP 设计者能够将存储器作为黑盒（BLACK BOX）进行特征化，帮助他们聚焦于真正的问题，而不是花费大量时间在处理测量工具链的细节上。HSIMplus 提供的额外功能进一步增强了该流程的自动化程度。

本文详细描述了该流程的架构、实现细节、与 HSPICE 的精度对比验证，以及在实际 ARM 存储器编译器项目中的应用结果。该流程已被证明能将功耗特征化时间从数周缩短到数天。

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图片索引

共 59 张图片，存放于 _images/ 目录。涵盖功耗测量流程图、HSIM 仿真架构、精度对比图表、不同模式功耗数据分析等内容。