90nm IP库的功耗门控实现技术
SNUG Taiwan 2008
2008
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90nm IP库的功耗门控实现技术
作者: LI JU CHI, LE/APR Team, Novatek Microelectronics Corp. (tess_li@novatek.com.tw)
摘要
现在的设计，特别是在移动应用和非常小的芯片结构尺寸下，泄漏功耗 Leakage Power问题从130nm节点开始受到关注，并在90nm成为重要因素。功耗成为了非常关键的设计目标。由于漏电功耗已成为客户希望尽可能在待机模式下节省功耗的关键因素，因此设计流程必须成为功耗感知 Power-Aware的。节省功耗的最佳方式是在待机模式下关闭电源域 Power Domain。问题是如何在标准Synopsys工具（IC Compiler）上实现电源门控 Power Gating单元。本文的焦点是...
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