一种高效的外部Memory Die的测试方案，以及基于HPC芯片应用的案例分析
SNUG China 2023
2023
18 页
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一种高效的外部Memory Die的测试方案，以及基于HPC芯片应用的案例分析
作者: Qi Kang (Sanechips)
会议: SNUG China 2023
页数: 18
源文件: SNUG_CN_Wang_一种高效的外部Memory Die的测试_paper.pdf
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一种高效的外部Memory Die的测试方案，以及基于HPC芯片应用的案例分析
Qi Kang (Sanechips) 2023.09
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大纲 - DRAM简介 - DRAM故障模型 - 测试外部存储器 - 用例研究描述 - 块级和系统级架构 - Extram项目流程概览 - 结论
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DRAM简介 — HPC中DRAM的趋势 - 容量增长 - 功耗优化 - 带宽增加 - 密度提升
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DRAM简介
DRAM 动态随机存取存储器使用电容存储单元值： - 优点：比SRAM 静态随机存取存储器面积小（1T+1C vs 6T）、成本更低 - 缺点：需要周期性刷新（电容会随时间漏电）、访问时间比嵌入式SRAM长
DRAM类型：SDRAM、DDR SDRAM、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5...
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DRAM故障模型 - Stuck-at故障 - Coupling故障（耦合故障） - Transition故障（跳变故障） - Write destructive fault（写破坏故障）
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（本文为PPT格式，共81张图片，后续页面涵盖：测试外部存储器的方法、用例研究描述、块级和系统级架构、Extram项目流程概览、结论等。）
图片索引
本文共 81 张图片，存放于 SNUG_CN_Wang_一种高效的外部Memory Die的测试_paper_images/ 目录。