POCV：从综合、实现到签核的全流程OCV解决方案

SNUG 2016 2016 8 页

POCV：从综合、实现到签核的全流程OCV解决方案

会议: SNUG 2016 | 作者: Yiwei Chen (MediaTek) | 页数: 8

摘要

AOCV 高级片上变异分析根据路径逻辑深度应用不同时序降额，减少不必要悲观性。但随着电压缩放，恒定OCV因子难以覆盖增长中的变异。本文在百万级16nm FinFET设计上应用POCV 参数化片上变异方法论于逻辑综合和物理实现。POCV去除120%设计时序悲观性（与AOCV相当），减少20%运行时间（无需穷举路径深度分析PBA）。单系数POCV库可轻松从现有AOCV表转换，无需LVF库。与Design Compiler、IC Compiler、IC CompilerI流程完全兼容。

第3页 — 1. 引言

工艺变异分为全局（die-to-die）和局部（within-die）。OCV 片上变异使用恒定降额因子。AOCV 高级片上变异基于路径深度调整降额但需路径深度分析（PBA）。POCV 参数化片上变异使用统计方法——每个单元基于sigma值获得个体降额，无需PBA。

2. 动机

随电压降低，保持时间变异非线性增长，传统OCV/AOCV难以准确覆盖。

3. 流程

3.1 POCV库准备

单系数POCV库从现有AOCV表拟合提取，无需LVF格式投资。

3.2 流程迁移

set_app_var pocv_enable_analysis true

DC和ICC中一键启用，完全兼容现有OCV/AOCV流程。

4. 结果

- POCV P&R：利用率提升2-3%，WNS改善5-10ps - 低电压保持时间：POCV降额更准确 - ICC II完全支持POCV+CCD协同 - 百万实例设计runtime减少20%

5-6. 结论

POCV在16nm FinFET百万级设计上成功实现——与AOCV相比去除120%悲观性、减少20% runtime、无需PBA。建议从OCV直接迁移到POCV。

POCV：从综合、实现到签核的全流程OCV解决方案